SiCube – выращивание кристаллов на высочайшем уровне

Компания PVA TePla AG предлагает SICube – высокотемпературную установку для производства кристаллов карбида кремния (SiC)

Веттенберг, Германия - 24.09.2012 - APA OTS - Компания PVA TePla AG, производитель кристаллизационных установок для кремния, а также вакуумных и высокотемпературных установок, предлагает SICube – высокотемпературную установку для производства кристаллов карбида кремния (SiC). Производимые в SiCube кристаллы пользуются спросом, в первую очередь, среди заказчиков на высокотехнологичных рынках. Типичными сферами применения являются электроника высоких мощностей (например, автомобили с гибридным и электрическим приводом, кондиционеры и фотогальваника) и оптоэлектроника, где очень важны особые свойства карбида кремния, такие как высокая термическая проводимость.

PVA TePla предлагает два различных типа установок: в установках HTCVD (High Temperature Chemical Vapor Deposition – высокотемпературное химическое парофазное осаждение) и HTCVT (High Temperature Chemical Vapor Transport – высокотемпературный химический парофазный перенос) можно выращивать кристаллы диаметром до 6 дюймов (150 мм). На данный момент два крупных производителя из Европы и Азии уже заказали установки этого типа. SICube представляет собой компактную установку для выращивания кристаллов, в которой использованы высококачественные материалы и компоненты. Наряду с высокой технологической точностью установка отличается простотой управления и интуитивно понятным интерфейсом пользователя, что делает ее еще более привлекательной для заказчиков.

PVA TePla AG

Тел.: +49(0)641/68690-400

gert.fisahn@pvatepla.com